前瞻SIC化合物半導體材料與磊晶技術
＃領先世界的碳化矽研究中心 ＃碳化矽純化及磊晶成長技術
願景
建立一個從原物料到IC技術，領先世界的碳化矽研究中心。
關鍵議題
由於需要把雜質從粉末中分離出來，因此碳化矽粉末提煉的純度不夠。生產高品質的碳化矽基板非常困難。
8吋以上高品質低缺陷的大直徑碳化矽基板使用傳統的昇華技術進行製造遭遇困難。
關鍵研究方向及技術
碳化矽合成及粉末雜質去除技術。
用於碳化矽基板生長的先進昇華技術。
4H型碳化矽/3C型碳化矽磊晶成長技術。
中性粒子束蝕刻、沉積、以及表面修復技術用於異質3C型碳化矽元件製造。
上述技術將可製造出高品質8吋碳化矽基板和高性能電壓在100-1000V操作範圍之碳化矽功率元件。適用於電動汽車、交流電源連結器和家用電器。
其他相關子計畫：前瞻半導體
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